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中國全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大力發(fā)展氮化鎵GaN產(chǎn)業(yè)
2018-04-10 16:19 大力發(fā)展氮化鎵GaN產(chǎn)業(yè) 應(yīng)對(duì)美國政府限制 瀏覽次數(shù)：（）
在美國限制華為等中國公司獲取芯片的背景下，中國正在大力支持本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。彭博社3日援引知情人士的話稱，中國正在規(guī)劃制定一套全面的新政策，以發(fā)展本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，特別是在第三代半導(dǎo)體氮化鎵GaN產(chǎn)業(yè)，應(yīng)對(duì)美國政府的限制，而且賦予這項(xiàng)任務(wù)“如同當(dāng)年制造原子彈一樣”的高度優(yōu)先權(quán)。
報(bào)道援引不具名的知情人士消息稱，北京正準(zhǔn)備在到2025年的5年之內(nèi)，對(duì)“第三代半導(dǎo)體”提供廣泛支持。他們說，在中國“十四五”規(guī)劃草案中增加了一系列措施，以加強(qiáng)該行業(yè)的研究、教育和融資。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等寬帶半導(dǎo)體原料為主，更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。
報(bào)道稱，中國即將制訂下一個(gè)五年計(jì)劃，包括努力擴(kuò)大國內(nèi)消費(fèi)，以及在國內(nèi)制造關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)品。中國已承諾到2025年向無線網(wǎng)絡(luò)到人工智能等技術(shù)領(lǐng)域投入約1.4萬億美元。半導(dǎo)體實(shí)際上是實(shí)現(xiàn)中國技術(shù)雄心的各個(gè)環(huán)節(jié)的根本，而日益激進(jìn)的美國政府正威脅要切斷對(duì)中國的供應(yīng)。研究公司龍洲經(jīng)訊的技術(shù)分析師王丹（音譯）表示，“中國意識(shí)到半導(dǎo)體是所有先進(jìn)技術(shù)的基礎(chǔ)，該國不再能依賴美國的供應(yīng)，面對(duì)美國對(duì)獲取芯片加緊限制，中國的對(duì)策只能是繼續(xù)推動(dòng)自己的產(chǎn)業(yè)去發(fā)展。”
由于現(xiàn)在還沒有哪個(gè)國家能控制這個(gè)剛剛起步的第三代半導(dǎo)體技術(shù)（氮化鎵GaN功率器件），如果它們現(xiàn)在加快研究速度，中國公司就可以擁有較高的競爭力。包括美國的 CREEInc。日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社(Sumitomo Electric Industries Ltd.)才剛剛開始發(fā)展這項(xiàng)業(yè)務(wù)，而三安光電有限公司(Sana Optoelectronics Co. Ltd.)和國有的中國電子科技集團(tuán)公司(China Electronics Technology Group Corp.)等中國科技巨頭已經(jīng)開始涉足第三代芯片技術(shù)。
據(jù)中國海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年我國芯片的進(jìn)口金額為3040億美元，較去年同期減少80億美元，同比下降2.6%。國務(wù)院發(fā)布的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國芯片自給率2019年僅為30%左右。近日， 國務(wù)院印發(fā)《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》強(qiáng)調(diào)，集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。
通信專家項(xiàng)立剛3日接受《環(huán)球時(shí)報(bào)》記者采訪時(shí)表示，當(dāng)前的國際環(huán)境已發(fā)生變化，美國不斷利用其在全球芯片產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位對(duì)中國進(jìn)行封堵，這也讓全國上下意識(shí)到，對(duì)于芯片這種“卡脖子”的核心產(chǎn)業(yè)，必須要有主動(dòng)權(quán)，不能再受制于人。中芯國際創(chuàng)始人兼原CEO張汝京日前則表示，5G領(lǐng)域常常會(huì)用到第三代半導(dǎo)體，中國在5G技術(shù)上保持領(lǐng)先，并在通信、人工智能、云端服務(wù)等領(lǐng)域超前發(fā)展，這些高科技的應(yīng)用都將推動(dòng)第三代半導(dǎo)體發(fā)展。
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