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安述智能小巧大功率GaN氮化鎵適配器方案240W
GaN氮化鎵功率芯片憑借高頻、高效、高耐壓等特性在快充領(lǐng)域大放異彩，但截至目前來(lái)看，還主要集中在30W-100W功率段，因此很多功率較低的輕薄筆記本能夠享受到此波紅利，而很多功率較大的游戲筆記本電腦、視頻剪輯、圖片制作等工作用筆記本就很難運(yùn)用的上了，相信隨著GaN氮化鎵功率芯片不斷發(fā)展，基于GaN氮化鎵設(shè)計(jì)的電源適配器的功率會(huì)越來(lái)越大。
近期安述智能推出的一款240W氮化鎵+碳化硅適配器，這么大的輸出功率不僅可以喂飽目前市面上絕大多數(shù)游戲本、工作本，而且這么大功率下機(jī)身尺寸僅為103*72*29mm，功率密度達(dá)到1.12W/cm3，比常見(jiàn)的氮化鎵適配器功率密度更大，是名副其實(shí)的小巧大功率GaN氮化鎵適配器方案240W。
安述智能小巧大功率GaN氮化鎵適配器參數(shù)：
（1）型號(hào)：AS-240W
（2）輸入：100-240V~50/60HZ 2.6A
（3）輸出：19.5V12.3A
（4）制造商：深圳市安述智能科技有限公司
（5）充電器已經(jīng)通過(guò)了CE、FCC和RoHS認(rèn)證。
通過(guò)拆解此款安述智能小巧大功率GaN氮化鎵適配器方案240W發(fā)現(xiàn)非常有意思的一點(diǎn)，PFC升壓開(kāi)關(guān)管采用兩顆英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片，LLC開(kāi)關(guān)電源的兩顆高壓開(kāi)關(guān)MOS管也是采用的英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片。
INN650D02 “InnoGaN”開(kāi)關(guān)管高頻特性好，且導(dǎo)通電阻小，適合高頻高效的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，采用DFN8*8封裝，具備超低熱阻，散熱性能好，適合高功率密度的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。
英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片，額定耐壓為650V，峰值耐壓750V，導(dǎo)阻低至0.2Ω，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求，支持ESD保護(hù)，支持開(kāi)爾文源極。最高工作溫度150℃。
通過(guò)拆解此款安述智能小巧大功率GaN氮化鎵適配器方案240W發(fā)現(xiàn)非常有意思的一點(diǎn)，PFC升壓開(kāi)關(guān)管采用兩顆英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片，LLC開(kāi)關(guān)電源的兩顆高壓開(kāi)關(guān)MOS管也是采用的英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片。
INN650D02 “InnoGaN”開(kāi)關(guān)管高頻特性好，且導(dǎo)通電阻小，適合高頻高效的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，采用DFN8*8封裝，具備超低熱阻，散熱性能好，適合高功率密度的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。
英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片，額定耐壓為650V，峰值耐壓750V，導(dǎo)阻低至0.2Ω，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求，支持ESD保護(hù)，支持開(kāi)爾文源極。最高工作溫度150℃。
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