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英諾賽科GaN FET INN650D02氮化鎵60W快充方案

2023-06-29 10:54      英諾賽科GaN FET INN650D02   氮化鎵60W快充方案    瀏覽次數(shù):(

基于英諾賽科GaN FET INN650D02氮化鎵功率器件打造的60W快充充電器方案,具有如下特點:


(1)體積小,從外觀上看,GaN氮化鎵PD快充充電器的體積,明顯比普通PD快充充電器小很多,至少能縮小40%左右,非常的小巧。


(2)溫度低,充電器在工作時,不管是充電、放電,均能比同等功率的充電器,功耗小、發(fā)熱量低至少10度左右。手感溫度良好。


(3)重量輕,由于采用了英諾賽科GaN FET INN650D02氮化鎵功率器件,能夠大大縮減電子元器件,從而使得充電器的重量減輕不少,至少減輕30%的重量。



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英諾賽科GaN氮化鎵60W充電器,輸出支持:5V/3A,9V/3A、12V/3A,15V/3A,20V/3A


【GaN】中文名【氮化鎵】是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、耐酸堿、高強度和高硬度等特性。采用GaN氮化鎵元件,充電器不僅僅可以做到體積小和重量輕,在發(fā)熱量和效率轉(zhuǎn)換上相比舊款充電器也更具優(yōu)勢。
【GaNFast】充電技術(shù)使得移動充電器在保持與老款充電器相同的外殼尺寸情況下,充電速度提高達5倍?,F(xiàn)有的慢速、笨重的硅基充電器設計正在迅速被GaNFast設計取代,因為GaNFast技術(shù)固有的能力可以將開關(guān)速度提高100倍,減少元器件并增加功率輸出以實現(xiàn)快充,是時候使用GaNFast了!


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