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第三代半導(dǎo)體氮化鎵GaN電源應(yīng)用技術(shù)_聚泉鑫

2023-06-17 16:04      第三地半導(dǎo)體   氮化鎵GaN電源應(yīng)用技術(shù)    瀏覽次數(shù):(

第一代半導(dǎo)體材料: 主要是指硅 (Si)、鍺素 (Ge) 半導(dǎo)體材料


集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程、電腦、手機(jī)、電視航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)。


第二代半導(dǎo)體材料:砷化嫁GaAs、銻化銦InSb


主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。


第三代半導(dǎo)體材料:氮化鎵GaN、碳化硅SiC


手機(jī)快充目前應(yīng)用廣泛、激光雷達(dá)、射頻、通信等領(lǐng)域。


工藝結(jié)構(gòu)對(duì)比


GaN體內(nèi)PN結(jié)特性,即無(wú)體二極管特性

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D,S間導(dǎo)體通過中間電子層導(dǎo)通,雙向可導(dǎo)通

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耗盡型D-MODE GaN需要負(fù)壓關(guān)斷,目前使用的為E-MODE GaN,可以實(shí)現(xiàn)零電壓關(guān)斷

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E-MODE GaN有凹槽型增強(qiáng)型、p型GaN柵增強(qiáng)型、共源共柵增強(qiáng)型

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