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一般說明
該AGM303AP結(jié)合了先進的低電阻封裝溝槽MOSFET技術(shù),以提供極低RDS (ON)。該器件是負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用的理想選擇。
特點
先進高電池密度溝槽技術(shù)低RDs (oN),最大限度地減少導(dǎo)電損耗低柵極電荷,實現(xiàn)快速開關(guān)低熱阻
應(yīng)用
兆字節(jié)/VGAVcore
SMPS第二同步整流器
PolyOne公司應(yīng)用程序
無刷直流電機驅(qū)動器
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